GaN基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料是制备蓝光到紫外光波段的LED、LD等光电器件的首选材料。由于GaN基材料具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好、化学和热稳定性好等特点，也非常适合于制作高温、高频及大功率电子器件。GaN作为第三代半导体材料，以其优异的性能在半导体微电子器件等领域显示着很强的应用前景。 本论文在国家自然科学基金（自组装GaN量子点结构的ECR-PEMOCVD生长及特性（69976008））支持下完成的，主要工作是在实验室自行研制的半导体材料生长装置ESPD-U上，采用ECR-PEMOCVD方法摸索在蓝宝石衬底上进行GaN异质外延初始生长工艺（氢等离子体清洗、氮化、缓冲层生长、外延层生长），并且对各个试验阶段的实验参数进行分析和优化。 我们以三乙基镓（TEGa）作为镓源，高纯氮气（99.999％）作为氮源；通过反射高能电子衍射仪（RHEED）原位监测异质外延生长各个阶段，讨论了氢等离子体清洗、氮化、缓冲层等预处理条件对异质外延GaN／Al₂O₃质量的影响。在试验的各个阶段主要通过RHEED图像来评价实验的结果。 在优化的初始生长条件的基础上，我们进行了GaN外延层的生长，结果得到了晶质较好的GaN外延层。实验证明，优化的初始生长条件是适合GaN异质外延生长的。