【摘 要】
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该论文共分为两部分.第一部分,研究了非晶及纳米氧化锆的组成结构性质及其电导和发光性质.用溶胶-凝胶法制备了二氧化锆凝胶,在不同温度下热处理得到非晶ZrO前驱物和非晶及纳
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该论文共分为两部分.第一部分,研究了非晶及纳米氧化锆的组成结构性质及其电导和发光性质.用溶胶-凝胶法制备了二氧化锆凝胶,在不同温度下热处理得到非晶ZrO<,2>前驱物和非晶及纳米ZrO<,2>粉体.XRD分析结果表明反应pH值直接影响非晶氧化锆前驱物脱水晶化后制得的ZrO<,2>粉体的结构.红外光谱分析给出了非晶氧化锆前驱物和非晶及纳米氧化锆近程结构中Zr原子周围Zr-O、Zr-OH的分布信息.第二部分,研究了用高频Plasma CVD技术在较低温度下(300-400℃)生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性,在蓝宝石衬底和石英玻璃衬底上生长了一系列不同Ⅴ/Ⅲ反应比的GaN薄膜,并仔细研究了最佳生长条件.XRD、XPS、PL谱表明得到的是立方GaN.
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太赫兹波与材料的相互作用是当下的研究热点,尤其是有关太赫兹波与铁电材料相互作用的研究还较少。本文主要研究了三种典型铁电材料和太赫兹波的相互作用过程:铁酸铋(BiFeO_3)在太赫兹波段的吸收特性以及锆钛酸铅(PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3)薄膜和钛酸钡(BaTiO_3)薄膜的太赫兹电光效应,为铁电材料在太赫兹电光器件的应用提供了实验基础。我们利用溶胶-凝胶法制备了铁酸铋多晶粉末,并
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