近年来,由于其轻薄的特性,可携带性,良好的机械与电子性能,柔性电子的研究取得了广泛的关注。对于这些集成于柔性衬底上的电子器件以及电路来说,柔性薄膜晶体管是最为重要的组成单元。另一方面,单晶硅材料由于其较高的载流子迁移率,与传统硅基电路相兼容的的生成工艺,较低的生产成本等,已经被广泛地应用于这些柔性薄膜晶体管的生产与制备之中。这些较高性能的柔性薄膜晶体管已经被广泛地应用于大规模柔性集成电路中,实现了包括可穿戴设备,柔性射频识别,柔性平板阵列显示屏等等应用。但是,到目前为止,关于更为简便的制备工艺的柔性底栅单晶硅薄膜晶体管的制备的研究非常有限。此外,由于传统的二氧化硅栅极材料的高温沉积以及较低的介电常数,已经不适用与生产高性能的柔性单晶硅薄膜晶体管,寻找一种更为合适的高介电常数栅极材料作为替代也是当前世界上研究的一个重大挑战。在本论文中,作者通过改进传统的柔性单晶硅薄膜晶体管的生产工艺,提高了转移效率,实现了可用于大规模集成生产的单晶硅纳米薄膜转移工艺。在此基础之上,作者设计并制备了一种新型的底栅结构的柔性薄膜晶体管,这种晶体管的制备与生产与传统的硅基电路工艺兼容,有一个更低的制作成本。本文采用了新型高介电常数铋镁铌(BMN)材料作为栅极介质的方式,实现了可以用于常温磁控溅射沉积的,高性能的栅极材料的选取,这一材料有望取代传统的二氧化硅材料,实现高性能的柔性薄膜晶体管。该晶体管成功展示了大于104的电流开关比,1.3 V的阈值电压以及超过200 cm2/vs的载流子迁移率。在成功完成柔性器件的制备之后,通过测试,完成了对于器件尺寸的分析对比。最后,本文通过对柔性器件的弯曲态下的性能测试,建立了柔性薄膜晶体管的等效电路模型,对于弯曲态器件的可靠性以及不同机械应力之下的性能变化,给予了较为丰富的理论分析模型。