半导体科学技术是20世纪最伟大的科技成就之一，它也带动着以电子电荷自由度为基础的半导体器件的发展创新。然而随着电路集成度的提升，器件热效应和量子尺寸效应都将严重阻碍器件的进一步发展。自旋电子学在这种背景下应运而生，半导体自旋电子学的目标是通过操纵载流子的自旋自由度开发出稳定性更好、处理速度更快以及能量消耗更低的电子学器件。由于量子点中载流子在三个维度的运动都被限制，具有很强的量子限制效应，其能级结构也由准连续型变为分立型。这样根据光学取向跃迁定则，理论上可以在量子点中注入100%自旋极化的载流子。而CdSe量子点为直接带隙半导体，能级结构相对简单，而且其带隙对应的光子能量基本分布在可见光波段。因此，CdSe量子点成为广大科学工作者的研究热点。本论文主要通过时间分辨抽运-探测技术，对CdSe量子点的自旋动力学进行了系统的研究。取得的主要成就有：(1)：通过X射线衍射图谱和透射电子显微镜图像分析得出，我们的CdSe量子点为闪锌矿型结构并且尺寸分布均匀(小于5%的尺寸布居)。吸收光谱和发射光谱中尺寸依赖的蓝移现象表明，量子限制效应在这些量子点中起了非常重要的作用。(2)：我们研究了室温下CdSe量子点的纵向自旋弛豫过程，发现空穴自旋弛豫时间约为几个皮秒，且和激发能量密度无关。(3)：我们使用Voigt构型中的法拉第椭圆度实验技术重点研究了室温下闪锌矿型CdSe量子点的电子自旋退相干过程。实验结果表明，室温下电子自旋相干时间可以达到百皮秒量级；电子自旋进动频率与抽运能量密度和抽运光子能量无关；根据自旋拍的震荡频率和磁场强度的线性变化关系可以得出电子g因子，而且随着量子点尺寸的增加，量子点中电子g因子减小；在磁场强度大于0.3T时，电子自旋退相干时间和磁场强度成反比例关系，表明在较高外磁场下样品非均匀展宽导致的退相干起主导作用。