磁场闭合状态对磁控溅射沉积纯Cr镀层生长过程的影响研究

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本论文通过调整置多个磁控管极性于真空腔体周边均布条件下磁控管集合体所体现的磁场闭合状态,在不同沉积阶段于单晶硅基体上制备了纯金属Cr镀层。通过对不同沉积阶段镀层组织结构和性能的检测分析,研究不同磁场闭合状态对纯Cr镀层生长过程(形核、晶粒合并、连续膜生成和厚膜生长)的影响及机理。本次研究为磁场闭合状态对镀层生长和磁控溅射机理影响的深入研究有重要的意义,并且对选择合适的磁场闭合状态优化镀层结构和磁控溅射设备改进起到一定的指导作用。研究结果表明:随着磁场闭合程度的增加,镀层沉积速率减小,基体
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