半导体技术在经过几十年的发展之后，元素半导体和化合物半导体成为半导体领域中两类主要的半导体。硅半导体器件和集成电路占据了半导体市场的90％以上，而化合物半导体中的砷化镓半导体材料研究时间长，工艺也最成熟。　　GaAs器件的迁移率可以高达6000cm2/V·s，禁带宽度较宽室温下为1.424eV工作温度上限高，且为直接带隙半导体发光效果好，制成的异质结器件电子浓度大。GaAs材料的应用广泛，器件种类多，如高电子迁移晶体管HEMT，异质结双极晶体管HBT，霍尔器件（传感器），以及各种光电器件诸如LED、量子阱激光器、太阳能电池等。　　GaAs基的HEMT以高功率、低噪声广泛应用于移动通讯、卫星接收、微波低噪声、信号的放大和发射等领域。GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）为HEMT的改进型，具有更大的二维电子气浓度（2DEG）和更高的迁移率，其功率、频率和噪声特性更加优良。为了获得具有更高的ns×μn，PHEMT由单异质结向双异质结发展，在沟道层的下方生长掺杂的反结，形成方形量子势阱，提高对二维电子气的限制作用，提高器件的性能。但结果并不像预期的那样，初步估计是由于反结界面的不平整和缺陷造成的。　　论文工作基于本课题组的前期研究基础，研究MBE工艺中InGaAs在AlGaAs上的外延机理与生长模式，通过控制优化AlGaAs隔离层和InGaAs沟道层的生长工艺，改善材料结构中AlGaAs/InGaAs反结的界面性能，从而同时获得高载流子浓度与高电子迁移率，实现了性能较优异的高质量双δ掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT材料：2DEG密度3.5×1012/cm2，电子迁移率达6500cm2/V·s。