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[目的]使用810nm波长半导体激光照射牙本质小块,观察牙本质小管的封闭情况及激光照射牙本质小块后其对侧温度变化情况,获得在本实验条件下既能最大程度地封闭牙本质小管又不引起对侧温度升高过高的安全参数,为临床上安全、有效地使用半导体激光治疗牙本质敏感症提供参考依据。[方法]将完整无龋坏、无裂纹磨牙制备成2mm厚牙本质小块,并均分为4等份,共21个牙本质小块。使用810nm波长半导体激光在连续模式下以不同参数照射牙本质小块,组 1:对照组,OW,Os(OJ/cm~2);组 2:0.2W,2s(333.47J/cm~2);组 3:0.2W,5s(833.67J/cm~2);组 4:0.2W,10s(1667.34J/cm~2);组 5:0.3W,2s(502.85J/cm~2);组 6:0.3W,5s(1257.12J/cm~2);组 7:0.3W,10s(2514.25J/cm~2),在扫描电镜下观察牙本质小管的封闭情况;并在同样的实验环境下分别使用0.2W和0.3W以1s、2s、3s、4s、5s、10s照射同一牙本质小块,记录激光穿透牙本质小块后温度变化情况。[结果]①在本实验条件下,牙本质小管的封闭程度随照射时间的延长而增强,不同功率之间封闭效果无统计学差异。使用析因设计方差分析,时间因素P=0.002(<0.05),差异有统计学意义;功率因素P=0.107(>0.05),差异无统计学意义;照射时间与激光功率存在交互作用,P=0.048(<0.05),差异有统计学意义。②当激光功率一定时,牙本质对侧温度随照射时间的延长逐渐升高,差异有统计学意义(P<0.05);当照射时间一定时,牙本质对侧温度随功率增加逐渐升高,差异有统计学意义(P<0.05)。激光照射参数为0.2W,4s、5s、10s和0.3W,3s、4s、5s、10s时温度升高△T>3℃;当激光照射参数为0.2W,2s(333.47J/cm~2)、0.2W,3s(500.20J/cm~2)、0.3W,2s(502.85J/cm~2)时,△T<3℃。[结论]当激光光纤垂直距离牙本质1mm以连续模式照射时,810nm波长半导体激光可以封闭牙本质小管且不会引起牙髓温度明显升高,在临床上可以用于牙本质敏感症的治疗。在同一个位置定点照射牙本质的适宜参数为0.2W(0.189W),照射时间为3s或0.3W(0.285W),照射时间为2s,激光能量密度的安全范围是333.47J/cm~2～502.85J/cm~2。