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晶体硅异质结太阳电池是一种由非晶硅薄膜与晶体硅材料构成的半导体器件,其中晶体硅部分一般为N型掺杂,它具有开路电压高、转换效率高、长时间曝光温度稳定性等特点,具有良好的应用前景。本文报告我们就晶体硅异质结太阳电池表面及薄膜层的制备及光学性能开展的初步研究,以期为晶硅异质结太阳电池国产化开发提供参考。本文分别运用两步制绒法、PECVD及磁控溅射技术完成了N单晶硅片表面制绒、氢化非晶硅及ITO薄膜的制备；并采用反射率仪、椭偏仪、紫外-可见分光光度计、量子效率仪等测试分析了其光学性能,结果表明：