高居里温度弛豫基铁电单晶Pb(In<,0.5>Nb<,0.5>)O<,3>-PbTiO<,3>的生长与表征

来源 :中国科学院上海硅酸盐研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lsgaoyan2009
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本文根据差热分析(DifferentialThermalAnalysis)的结果,我们采用熔体坩埚下降法对PINT65/35单晶进行了尝试生长,获得了纯钙钛矿结构的四方PINT单晶。 我们采用加入助熔剂的溶液坩埚下降法(SolutionBridgmanMethod)对PINT65/35单晶进行了生长尝试,得到了尺寸为22mm×8mm×6mm的相对较大的PINT单晶。   本文最后,采用籽晶和助熔剂相结合的溶液坩埚下降法对PINT65/35单晶进行了生长,希望利用[111]定向的PMNT籽晶诱导PINT单晶的生长,同时控制成核。最终我们成功诱导出了[111]定向的PINT单晶,并获得了(001)切片。  
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