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过渡金属硫化物具有特殊的3d价电子壳层结构,由于其特殊的电子结构和丰富的元素组成,在电池、催化和超级电容器应用方面是一个非常有研究价值的过渡金属硫化物半导体材料。本文一方面研究水浴沉积法制备前驱FeS_(1+x)薄膜并硫化为FeS_2薄膜及其副产物沉淀产物FeS_(1+x)的研究;另一方面对(Co,Ni,Mo)_xFe_(1-x)S_2改性薄膜及MoS_2@FeS_2改性粉体进行研究。(1)采用化学水浴沉积法,以硫酸亚铁铵、硫代乙酰胺作为反应的铁源和硫源,在一定温度常压下制备FeS_(1+x)薄膜,