有机半导体材料以其特有的优点,如成本低廉、生产过程简便等,对用其制作有机场效应管的研究方兴未艾。有机半导体材料种类繁多,但近年来,以并五苯为代表的有机小分子单晶材料的表现最为引人注目,用这种材料制作的有机场效应管在载流子迁移率及开关电流比等方面的性能已经可以和无定形硅场效应管相媲美。优化有机晶体的生长工艺是获得性能优良的场效应管的重要基础。本论文在对有机场效应管有源层材料生长工艺进行优化的基础上,用真空热蒸发的方法制备了有机半导体薄膜,研究了薄膜的光谱特性。我们以热氧化后的硅片为衬底,用真空蒸镀的方法制备了有机半导体材料并五苯薄膜,通过X射线衍射和原子力显微镜以及Raman光谱等手段对薄膜的生长、晶体结构及形貌等进行了分析,讨论了薄膜制备过程中的衬底温度对晶体生长的影响。并用飞行时间(TOF)法测试了并五苯薄膜的载流子漂移迁移率,发现其量级在10-3cm2/V·s左右,这证明我们制备的并五苯薄膜具有良好的性能。我们对并五苯薄膜的紫外-可见吸收谱和光致发光谱进行了测试,对不同条件下的并五苯薄膜的光谱进行比较,分析了谱峰的形成过程。并分析了在光谱中存在的Davydov分裂的原因。