近年来,技术的发展引领了向微观以及纳米尺寸结构材料的研究热潮。应运而生的便是纳米颗粒和量子点(QDs)。量子点也是一种半导体材料,但和传统半导体材料的本质区别在于,传统半导体材料的能级结构是连续的,而量子点的能级结够是分立的。这样一种独特结构的材料,必然有着独特的电子以及光学性质,可以为将来更为广阔的技术发展领域,如激光,传感器,量子计算设备等,打下良好基础。在本文中,我们制备了掺杂CdSe/ZnS量子点的薄膜,并运用McCumber理论对该量子点的发射截面进行了估算。根据相应波长及计算得到的发射截面,我们求得量子点的荧光寿命为1.12ns。通过与之前文献所报道的结果进行比较,我们发现测量值与计算值相当吻合,证实在计算具有分裂能级的量子点的发射截面时,McCumber理论依然成立。之后,我们将Q-shift CdSe量子点散布于光学UV胶中制备成量子点掺杂薄膜,利用自行搭建的Z-Scan装置,配合半导体泵浦固体(DPSS)激光器,在473nm的低功率连续激光环境下测量了掺杂Q-shift CdSe量子点薄膜的光学非线性折射率。数据显示,分布在UV胶中的CdSe量子点表现出负的非线性折射率,并且在量级上相比一般材料要高,达到10-0m2/W正因为CdSe量子点是具有很高非线性折射率的新型材料,所以我们可以在低功率连续激光的环境下,观察到非常明显的自散焦现象。