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近年来,基于胶体半导体量子点的发光二极管(Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QLEDs)由于其色纯度高、光谱可调、稳定性好以及可溶液加工等出色的特性而受到广泛关注。这些优异的性能使得QLEDs为新一代显示提供可靠的技术支持。随着量子点(Quantum Dots,QDs)材料以及器件的快速发展,红光和绿光器件的性能都得到了很大的提升,例如,红光和绿光器件的外量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)分别已经达到20.5%和21%,非常接近实际应用的需求。最近,蓝光QLEDs也报道了 18.0%的EQE,然而,相比于红光和绿光,蓝光QLEDs的效率和稳定性仍然有很大的提升空间。本文以蓝光QLEDs为研究对象,将一种荧光染料4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)掺杂在载流子传输层(Carrier Transport Layer,CTL)中以探测器件的激子复合区域;并通过监控QD和DCJTB之间的Forster共振能量转移(Forster Resonant Energy Transfer,FRET)过程确定激子复合区域的具体位置,研究发现电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)对于激子复合区有着重要影响。以ZnMgO作为ETL的QLEDs,其激子复合区被限制在QD层,且激子复合区域的位置靠近QD/空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)的界面,说明光子主要由载流子直接复合产生;而在1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)作为ETL的器件中,激子复合区从QD延伸到了 ETL,因此发光由FRET和载流子直接复合共同贡献。在上述对蓝光QLEDs发光机制的研究中,我们了解到器件中空穴注入较难,电子注入相对容易,存在载流子注入不平衡的现象。因此为了实现载流子平衡,提升器件性能,本文分别对正向结构和倒置结构中的HTLs进行优化。对于正向结构,本文系统研究了不同HTLs以及其厚度对器件性能的影响,发现采用聚(9-乙烯咔唑)(PVK)作为HTL时EQE为8.6%,启亮电压为3.2 V;当HTL为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)时,启亮电压低至2.4 V,EQE为2.8%。通过结合这两种HTLs的优点,即采用TFB/PVK双层结构作为HTLs,得到的器件能够同时实现低启亮2.6 V和高效率5.9%。对于倒置器件,我们通过在发光层和电子阻挡层中插入一层中间层9,9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mcp),以进一步阻挡多余电子,减少器件漏电流,从而提高了器件效率,优化后的器件电流效率为4.2 cd/A,最大亮度在20000 cd/m2以上。在对正向蓝光器件优化的过程中,我们观察到在QD/HTL界面存在激基复合物发光,并且其发光强度可以通过调节空穴注入来进行控制。我们最终使用掺杂了25wt%聚(3-已基)噻吩(P3HT)的PVK作为空穴传输层,在低电压下,激基复合物发光占主导地位,随着电压增大,QD发光逐渐回到主导地位。因此通过结合激基复合物和QD的发光,将电压从2V增大到10V,实现了发光颜色从红光到蓝光的颜色可调谐器件。