拓扑绝缘体是一种具有自旋极化金属表面态的新型奇异半导体,这一表面导电态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性,这使其在低能量耗散电子学,热电子学,催化作用以及近红外电极方面具有极大的潜在应用前景。近期对于半导体自旋结构的研究取得了很大的进展。在体态硅材料中,采用铁磁电极作为自旋极化注入源／检测端,证实了电子的自旋注入,自旋传输,自旋探测和自旋积累的存在。另外,还涌现出大量有关体态锗、砷化镓、石墨烯、碳纳米管的自旋研究。相比之下,一维无机半导体纳米线的自旋输运研究则显得相对乏人问津,仅报道了有关硅,锗,氮化铟以及氮化镓等材料的相关研究。由于纳米线具有尺寸小和一维结构限制的体型优势,理论预测纳米线将会展现出有实用价值的新型物理特性。本文以Bi2Se3纳米线作为主要研究材料,深入探讨为成功实现纳米线自旋注入必须采用的三种微加工技术：紫外线光刻,无掩膜光刻以及电子束曝光。分析了在工艺加工流程之中各个工艺参数对器件的影响,并针对这几种加工方式方法的特点与区别,总结出一套行之有效的工艺手段,确定了各工艺参数的最佳优化结果,提高了样品加工的成功率,包括曝光剂量、工艺流程和电极尺寸等参数。之后对器件进行了一系列的表征和测量,得到了有关器件的形貌、电学输运等相关性质的测量结果。由此证明了通过纳米微加工工艺对硒化铋纳米线在室温下进行自旋注入在实用方面具有极大的可行性,也使得进一步的研究工作得以展开,同时有助于未来实现自旋电子学器件的应用。