铈基稀土氧化物纳米结构可控制备及性能研究

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以负压抽滤和化学共沉淀法,在阳极氧化铝(AAO)纳米阵列孔模板中,可控制备了铈基稀土氧化物纳米结构材料,其形貌、组成、结构,分别用SEM和TEM,XRD,EDS等表征。分别研究了荧光性能,比较了不同纳米结构对刚果红的吸附去除速率及钐、铕掺杂的荧光发射峰特征,研究了制备工艺及掺杂元素相对浓度与荧光性能的关联性。主要研究结果如下:1、在AAO模板中合成了形貌均一的CeYxOy纳米线和纳米管阵列结构材料,在暗光条件下,研究其对刚果红染料的吸附去除能力,并与水热法制备的CeYxOy纳米颗粒进行比较。结果表明,CeYxOy纳米管、纳米线和纳米颗粒对刚果红的最大吸附量分别是801.9 mg/g、668.2 mg/g和414.9 mg/g,其中,CeYxOy纳米管结构吸附性能最强,其吸附动力学与Langmuir吸附等温线一致。2、研究了 Eu3+掺杂CeYxOy纳米管、纳米线和纳米颗粒的荧光性能,激发光波长为394 nm激发下,CeYxOy:Eu3+纳米管的荧光发射强度最强,且纳米管荧光强度随Eu3+掺杂浓度的增加而增强,当Eu3+掺杂相对浓度达到6%时,荧光发射强度最强,当Eu3+掺杂相对浓度超过6%时,出现荧光猝灭现象,锻烧温度影响CeYxOy:Eu3+纳米管材料的荧光强度。3、分别制备了CeYxLayOz:Eu3+和CeYxZnyOz:Eu3+纳米管,以340 nm光激发,471 nm处均有强的荧光发射峰。以394 nm光激发,CeYxLayOz:Eu3+纳米管于61 3 nm、702 nm处有荧光发射峰,CeYxZnyOz:Eu3+纳米管于616 nm和704 nm有荧光发射峰,有红移现象。与掺Eu3+比较,在340 nm光激发下,CeYxLayOz:Sm3+和CeYxZnyOz:Sm3+纳米管于471 nm均有宽且强的荧光发射峰。以394 nm光激发,CeYxLayOz:Sm3+纳米管在593 nm和694 nm处有发射峰,CeYxZnyOz:Sm3+纳米管发生荧光猝灭。4、制备了CeNdxOy和CePrxOy纳米线,并对其进行Eu3+掺杂,在450 nm波长光激发下,CeNdxOy:Eu3+在516 nm、777 nm有荧光发射峰,CePrxOy:Eu3+纳米线在528 nm、679 nm、776 nm分别有荧光发射峰,CePrxOy:Eu3+平均荧光寿命比CeNdxOy:Eu3+长。
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