BiFeO3作为少数在室温下具有铁电和反铁磁性质的钙钛矿型材料之一,在信息存储、自旋电子器件和传感器等方面有着广泛的应用前景。本学位论文通过脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶SrTiO3基片上生长了BiFeO3薄膜,对其晶体结构、表面形貌、电子结构及其铁电性质进行了研究,论文的主要内容如下:(1)概述了BiFeO3薄膜的基本性质、制备方法以及国内外的研究进展。(2)采用分析纯的Bi2O3(99.9%)和Fe2O3(99.9%)为原料,利用固相反应法制备了纯相BiFeO3靶材,详细研究了靶材制备的工艺参数以及靶材的结构性质。(3)利用准分子脉冲激光器(KrF,248nm,25ns),以单晶SrTiO3(100)为衬底,通过优化激光能量、沉积温度、氧压以及退火温度等工艺参数,在650℃,1PaO2下成功制备了纯相的BiFeO3外延薄膜。(4)采用X射线衍射仪(X-Ray Diffraction,XRD)、场扫描电子显微镜(Field Scanning Electron Microscopy,FSEM)、能谱仪(Energy-Dispersive X-Ray Spectroscopy,EDS)、X射线光电子能谱(X-Ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)等研究了薄膜的结构、表面形貌以及组分。(5)采用RT-66标准铁电测试系统测量了200nm厚度薄膜的铁电性质,室温下观察到了薄膜的饱和电滞回线,得到其剩余极化强度为4.028μC/cm2,同时讨论了电极对铁电性质的影响。