【摘 要】
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PbZrO3(PZO)基反铁电材料因其近零的剩余极化强度,独特的AFE-FE相变带来的矩形储能阵列及良好稳定性等特征,在脉冲功率储能器件领域具有广泛应用前景。本文旨在通过插层结构界面设计优化PZO基复合薄膜微观结构,进而实现PZO在不同电场下储能性能的提升。(1)设计叠层结构的PZO/STO复合薄膜,探究复合薄膜的微观结构演变过程及储能性能;(2)制备PZO/PST复合薄膜,通过调控界面层数的叠层
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PbZrO3(PZO)基反铁电材料因其近零的剩余极化强度,独特的AFE-FE相变带来的矩形储能阵列及良好稳定性等特征,在脉冲功率储能器件领域具有广泛应用前景。本文旨在通过插层结构界面设计优化PZO基复合薄膜微观结构,进而实现PZO在不同电场下储能性能的提升。(1)设计叠层结构的PZO/STO复合薄膜,探究复合薄膜的微观结构演变过程及储能性能;(2)制备PZO/PST复合薄膜,通过调控界面层数的叠层结构和晶化温度,探究复合薄膜的微结构和储能性能。本文具体研究内容如下:(1)将STO与PZO叠层复合形成PZO/STO复合薄膜,研究不同界面层数对复合薄膜的微结构和电学性能的影响。结果表明:STO层插入后,STO层与PZO层间能够发生扩散作用,促使薄膜发生异质形核,晶粒尺寸降低,有效提升了复合薄膜的击穿场强。随着界面层数的增加,薄膜击穿场强增加,储能密度明显提升。当界面层增加至N=4时,薄膜击穿场强达2071 k V/cm,此时薄膜的有效储能密度达18.82 J/cm~3。(2)将PST与PZO叠层复合形成PZO/PST复合薄膜,研究不同界面层数对复合薄膜的微结构和电学性能的影响。结果表明:具有弛豫性能的PST薄膜不仅能够增加薄膜电滞回线的倾斜度,而且能够使电滞回线变得更加纤细。此外,由于PZO与PST间界面层的存在,能阻断薄膜中电子树的生长,使击穿场强得到大幅度提高。随着界面层的增加,击穿场强增加,储能密度大幅提升。当界面层数为N=4时,PZO/PST复合薄膜具有最大击穿场强,为2474 k V/cm,此时其有效储能密度为20.67 J/cm~3,相对于PZO薄膜提高了121.5%。当界面层数为N=2时,薄膜储能效率达到最大值,为54.2%。(3)研究不同退火温度对PZO/PST复合薄膜微结构和电学性能的影响。结果表明:随退火温度升高,复合薄膜饱和极化强度逐渐增大,击穿场强呈现出先增大后降低的趋势。当退火温度为650℃时,薄膜具有最为优良的储能性能。有效储能密度和储能效率分别为20.67 J/cm~3和51.19%。
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