【摘 要】
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该工作使用兰州重离子加速器(HIRFL)提供的112MeV和750MeV Ar离子分别在低于50K的温度和室温下辐照了取向、厚度约为320μm的单晶Si样品,利用电子顺磁共振谱仪(EPR)、红外光
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该工作使用兰州重离子加速器(HIRFL)提供的112MeV和750MeV Ar离子分别在低于50K的温度和室温下辐照了<111>取向、厚度约为320μm的单晶Si样品,利用电子顺磁共振谱仪(EPR)、红外光吸收谱仪(IR)、正电子湮没寿命谱仪(PALS)等分析研究了辐照在Si样品中引起的缺陷产生,缺陷随辐射剂量变化、缺陷沿样品深度分布以及缺陷的等时退火行为.该工作还采用了112MeV Ar离大在低于50K的温度辐射了厚度处在8.0-10.5μm的Fe<,40>Ni<,40>Si<,12>B<,8>、Fe<,78>Si<,9>B<,13>等7种非晶态合金样品,利用光学显微镜拍照比较分析了样品尺寸的相对变化.
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