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作为纳米技术的一个重要组成部分，半导体量子点不但在基本物理问题上具有独特的性质，而且在光电子器件方面也有巨大的潜在应用。因而长期以来，量子点的研究一直是半导体材料领域的前沿和热点。针对半导体量子点研究中的热点问题，本论文主要对ZnCdSe量子点的制备和表征进行了研究，取得的主要结果如下： 1．在Stranski-Krastanow(S-K)模式下制备了ZnCdSe量子点，在生长量子点之前，先数值计算了系统的临界厚度，然后在该临界厚度值的指导下进行了量子点的制备。该方法为较小失配下S-K模式量子点的制备提供了途径。另外，利用Volmer-Weber(V-W)模式在晶格匹配衬底上制备了ZnSeS量子点，并研究了量子点的形成过程。 2．利用量子点在不同形成和熟化阶段具有不同的光学性质这一思想，通过测量ZnCdSe／ZnSe量子结构的发光峰的位置与相对强度的变化，获得了量子点的形成和熟化信息，从而既解决了一般金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备由于没有原位监测仪器而无法对量子点的形成过程进行监测的不足，又澄清了原子力显微镜表征的量子点熟化过程的争议。 3．很多情况下量子点的发光强度随测量温度的升高先有一个上升的过程，然后才逐渐下降。根据S-K模式量子点的形成过程，我们认为在点的形成过程中由于质量迁移会在点的周围形成一个凹槽，加上覆盖层后，由于大的量子限域效应该处将形成一个势能极大值，该势能极大值将阻碍载流子从势垒层向量子点的注入，该过程是导致上述拐点出现的原因。