温差电材料自被发现以来一直是研究的热点,薄膜及微区薄膜温差电材料因适应了目前微电子系统的发展趋势而越来越引起人们的关注.电化学方法制备薄膜以及微区薄膜温差电材料就是其中一种很有前景的制备方法,它具有设备简单、操作容易、成本低等众多优点,但目前对该方法的研究还主要停留在提高材料性能这个阶段,并没有与后续的微型温差电器件制备相结合.这使得电化学方法制备薄膜及微区薄膜温差电材料还没有真正运用到实际中去. 本论文以制造微型温差电器件为目标研究了电化学的方法制备Bi<,2-x>Te<,3+x>与Bi<,2>Te<,3-x>Se<,x>薄膜及微区薄膜温差电材料和添加剂对电沉积过程的影响. 采用微电子的方法分别研究了使用光致抗蚀干膜和SU-8胶制备微区的工艺,能使用这两种不同的感光胶制备出各种不同尺寸的微区以备实验之用；自行设计了一套真空退火装置并确定了它的操作工艺. 比较了铜、不锈钢、金三种基体对电沉积薄膜Bi<,2>Te<,3>材料的影响,确定了金作为电沉积的基体. 采用阴极极化曲线研究了温度对电沉积薄膜Bi<,2>Te<,3>材料的影响,确定了25℃的实验温度. 从镀层材料的组成和形貌研究分析了沉积方式对电沉积薄膜Bi<,2>Te<,3>材料的影响,选择了恒电位方式进行沉积. 在恒电位沉积方式下从镀层材料组成、温差电性能、结构、形貌等方面详细分析了沉积电位对对电沉积薄膜Bi<,2>Te<,3>材料的影响,确定了30mV的沉积电位. XRD图、SEM图、EDS以及温差电性能的测试结果表明微区尺寸对微区薄膜Bi<,2>Te<,3>材料电沉积的影响可以通过调整搅拌程度和沉积电位来解决以使得在不同尺寸的微区获得理想的镀层. 采用阴极极化曲线、交流阻抗曲线研究了添加剂对电沉积微区薄膜Bi<,2>Te<,3-x>Se<,x>材料的影响的作用机理,结果表明添加剂能降低Se沉积的反应电阻从而对电沉积微区薄膜Bi<,2>Te<,3-x>Se<,x>材料产生影响. 从微区薄膜Bi<,2>Te<,3-x>Se<,x>材料的温差电性能、电阻、结合力、组成、结构、形貌以及镀液本身的表面张力等方面比较了添加剂的使用效果,确定了0.04mL/LA+0.6mL/L B的最佳添加剂使用配方. 对退火前后塞贝克系数、电阻、XRD图、SEM图的进行了对比,结果表明,退火能使塞贝克系数增大、电阻减小、镀层更加致密.