【摘 要】
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该文全面系统地研究了MeV铒离子注入硅单晶的射程分布、损伤分布、退火行为、外扩散和发光特性.该论文的主要内容包括:1.简要论述了离子与固体相互作用的理论基础-即阻止本领
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该文全面系统地研究了MeV铒离子注入硅单晶的射程分布、损伤分布、退火行为、外扩散和发光特性.该论文的主要内容包括:1.简要论述了离子与固体相互作用的理论基础-即阻止本领的计算.2.简要介绍了铒注入单晶硅的研究现状,并就铒在硅中的电子结构、电学性质以及发光机理等问题进行了讨论.3.用卢瑟福背散射及沟道效应研究了能量为2MeV,剂量从2×10<12>ions/cm<2>到2.5×10<15>ions/cm<2>的铒离子注入硅单晶的浓度分布及其损伤分布.4.研究了不同剂量的MeV Er<+>离子注入后硅样品的等时退火行为.5.简要介绍了夏曰源教授以keV Sb<+>注入硅单晶为例建立的高剂量离子注入形成的非晶层重新结晶过程中外扩散的物理模型.利用Feldman的多重散射模型计算了MeV Si<+>离子注入GaP体材料的损伤分布,并与TRIM96模拟得到的结果进行了比较.
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