微米光纤环是微米量级尺寸的光纤制备的环形谐振器，其形式有MLR(micro-loop resonator)、MCR(micro-coil resonator)和MKR(micro-knot resonator)。由于其具有尺寸小、制作简单、低成本以及优异的谐振特性，因此被广泛应用于各种光纤光学器件。其中以MKR结型谐振器性能最为稳定。微米光纤环很重要的一个特征为其较大的倏逝波场。这些倏逝波常结合一些性质可被光、温度、电流以及湿度等物质调制来开发不同功能的光纤器件。其中，属于金属二维硫族化合物的SnS2有着类石墨烯的二维结构。由于其具有独特的光学和电学性质，因此在各类光电探测器、生物传感器、激光器等光电子器件中具有广泛的应用。本文基于MKR的强倏逝波和SnS2光吸收的相互作用来实现光控光纤器件，并就该光纤器件进行了光控特性研究，同时还对其响应时间进行了测试。　　实验中，首先用火焰加热单模光纤拉锥至几个毫米来进行微米光纤的制备。接着，将拉锥后微米直径大小（光纤直径d~7μm）的光纤打结成几百个微米直径的微米光纤环。对MKR(微环直径D~480μm）表征实验的第一步为共振稳定性的测量。为此，分别将其加载在普通玻片（折射率为1.45）上以及氟化镁片（MgF2折射率为1.37）上进行稳定性测试。结果显示氟化镁（MgF2）片上的MKR稳定性好、谐振好、消光比大、损耗小。在MKR的光控实验，首先采用位移平台将制备好的MKR进行固定。其次利用引流的方法或逐滴扩散SnS2对MKR远离结区部分区域进行沉积。对于MKR上沉积SnS2的光控实验方法为采用不同功率的405nm紫光外泵浦的方式照射沉积了SnS2的环区位置来改变微环输出光功率。当紫光功率（0，5.1，10，15.3，20.2mW）增大时，谐振峰的相对传输功率损耗减小，消光比减小，其中最大变化可达~4.5dB。在1544.787nm波长处灵敏度最大约为~0.22341dB/mW，在1569.592nm波长处线性相关最大，线性相关系数为0.9952。由于MKR结构的多谐振峰特性，该实验还同时研究了不同谐振峰性质（如Q值、消光比等）对输出光功率变化率大小的关系。实验表明谐振Q值、消光比越大，相对传输出光功率变化越大。另外，我们还对器件在405nm紫光不同光功率下的时间响应进行了测试。实验结果表明当405nm紫光光功率越大，相对响强度越大，但其响应时间并不受泵浦光功率影响，器件的响应时间最快可达到~3.2ms。　　本研究工作创新之处：　　1、对沉积了SnS2的光纤微环，采用紫光外泵浦的方式获得光控特性以及快速响应时间（~3.2ms）的光纤器件。　　2、用引流的方法得到高品质因数Q和高消光比ER的沉积SnS2的微米光纤环。在同一实验条件中，研究和分析了不同谐振特性（Q值以及消光比等）与光控功率变化的关系。