微波反射仪作为一种测量等离子体电子密度剖面分布的有效手段已经被广泛地应用于托卡马克等许多磁约束聚变装置中。本文对HL-2A托卡马克装置上的微波反射仪的研制及应用进行了介绍。本文概述了微波反射法在磁约束聚变装置中的发展及应用情况,微波反射法的基本原理及各种微波反射仪的特点,并根据HL-2A托卡马克装置的基本参数(大半径R=1.64 m,小半径a=0.4 m,纵场为Bt=2.5T,中心弦电子线密度约为Ne=0.8～4.0×10¹⁹m^-3)和实验要求,提出了一种适合于HL-2A托卡马克装置的微波反射仪的设计方案,即采用寻常波运行模式和快扫描微波源（扫描周期1ms）,通过幅度调制和外差变频,利用I/Q鉴相测量获得其相位延迟（即延迟时间）,由此重建电子密度分布剖面。系统探测频率范围为:26.5-60GHz,用于测量弱场侧电子密度的径向分布,它们所对应的密度测量范围是0.84×10¹⁹ m^-3- 4.47×10¹⁹ m^-3。整套微波反射系统在HL-2A实验中成功地测量了电子密度分布,并初步观测到一些物理现象。这套微波反射系统将与HL-2A上已有的密度测量手段:HCN激光干涉仪和静电探针一起给出更加全面的等离子体径向电子密度分布。