一维聚吡咯/硫化镉纳米复合材料的制备及光降解性能研究

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本论文主要研究一维结构的聚吡咯/硫化镉纳米复合材料的制备及其在光催化降解领域的应用。聚吡咯作为功能性高分子材料具有易于制备、类半导体、超高电导率等特点;硫化镉作为窄带隙结构的半导体材料,禁带宽度为2.42eV,能够吸收较宽波长范围的太阳光。一维结构下,将两种功能性材料结合在一起,得到较优异的光催化降解性能。首先采用AAO(三氧化二铝)模板法,在电化学沉积的作用下,先后沉积聚吡咯和硫化镉形成聚毗咯/硫化镉同轴纳米管结构,长度十几微米,外径200nm左右,内径约100nm。而且内层硫化镉呈现六方
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学位
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