目前，由于MEMS器件的集成密度和功率密度都很高，以及MEMS器件大多采用多种材料的层叠结构，造成结构之间热膨胀系的不同。所以，当器件工作温度变化时，会引起封装对MEMS内部结构的应力、可靠性等影响。MEMS中微构件通常作为执行机构，微构件本身处于微米级，对应变和应力十分敏感。因此，封装效应引起微构件特性变化的研究，对MEMS微构件的设计具有重要的理论指导意义。本文针对COB（Chip on Board）封装工艺和叠层封装工艺这两种情况，研究不同基板材料，不同基板厚度及温度场变化下封装对微构件特性的影响。首先，利用Timoshenko双层梁理论和三层梁理论，推导出N层梁的理论数学模型。对MEMS微构件的封装热变形进行分析，从热应力等方面进一步分析对微构件热变形存在的机理。其次，建立COB封装工艺和叠层封装工艺下两种有限元分析模型，通过有限元软件从基板材料的变化、基板厚的变化和温度载荷变化等方面，分析热封装效应对微构件的热变形影响。再次，在之前热变形分析基础上，利用有限元从基板材料的变化、基板厚的变化和温度场变化等方面，分析COB封装工艺和叠层封装工艺对微构件固有频率的影响。最后，在之前热变形分析基础上，利用有限元分析多晶硅微构件的疲劳使用因子，得出封装应力会抵消部分垂直循环载荷应力，从而降低了疲劳使用因子，从疲劳上看封装效应降低了微构件的疲劳特性。通过有限元的分析可知，MEMS封装对微构件的应力和应变、固有频率及疲劳都产生了显著的影响。因此，本研究对MEMS器件微构件的设计和改善具有一定的指导意义。