铜锌锡硒薄膜太阳能电池相关材料的研究

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【摘要】

：

Cu2ZnSnSe4薄膜是一种具有直接带隙的P型半导体材料,室温下禁带宽度为1.4～1.5eV,光吸收系数高达104cm-1,具有良好的光电特性,可以作为吸收层材料应用于薄膜太阳能电池中。本文对Cu2ZnSnSe4薄膜太阳能电池的理论分析、结构设计、材料研究和制备等方面做了如下工作：首先我们采用直流磁控溅射法制备背接触层,通过控制气压溅射双层Mo膜,利用这种方法制备出的Mo不仅与玻璃衬底有很好的附

【作者】

：

韩磊

【机构】

：

合肥工业大学

【发表日期】

：

2012年04期

【关键词】

：

铜锌锡硒薄膜溅射电沉积硒化反应机理

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