本文以正电子湮没辐射Doppler展宽谱仪、正电子湮没寿命谱仪等为实验手段,研究了不同化学成分的二元Ni-Al合金的微观缺陷结构和成键电子密度;讨论了退火温度对合金微观缺陷和电阻率的影响。由于过渡元素Ni存在尚未配对的3d电子具有很好的局域性,当它与多价Al元素形成化合物时,Al原子提供价电子与Ni原子的3d电子形成了共价键。共价键电子的局域性好,使得Ni-Al合金基体中形成金属键的自由电子密度降低,合金中金属键与共价键共存。实验结果表明:Ni₃Al合金中的自由电子密度比NiAl合金的高。在这两种合金中,共价键成分均随合金中Al含量的增加而增大。在Ni₃Al系合金中,Ni₇₅Al₂₅合金的电阻率最低,缺陷的开空间最小;偏离该成分,电阻率升高,缺陷的开空间增大。在Ni₃Al系合金中均存在着开空间大于单空位或位错的缺陷。在NiAl系合金样品中,Ni₅₀Al₅₀合金的电阻率最低,缺陷的开空间最小;偏离该成分,电阻率升高,缺陷的开空间增大。在NiAl系合金中存在着开空间较大的微孔洞。在Ni₃Al系合金样品中,随着退火温度的升高,合金中的空位回复,空位浓度降低,合金电阻率随退火温度的升高而下降。但在B2-NiAl系合金中,由于合金中存在开空间较大的微孔洞,这些缺陷在退火温度低于1200℃时不易回复,合金电阻率随退火温度升高变化不大。正电子注入到Ni₇₅Al₂₅合金晶格后,它们的波函数被局域在L1₂结构中由6个Ni原子围成的八面体间隙中,并与Ni原子的电子发生湮没。