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21世纪,科学技术正以其迅猛的发展改变着人们的生活,利用电子的电荷和自旋来进行信息的传输和存储,以此为基础研发的自旋电子学器件将逐步改变信息的存储方式。与传统的磁电子学器件相比,自旋电子学器件具有非易失型、高集成度和低功耗等优点,在计算机读出磁头、磁随机存储器(MRAM)等方面显示出诱人的应用前景。新型自旋电子学材料如磁性半导体、有机半导体因其独特的性质成为了实现自旋极化输运候选的理想材料。研究有机半导体材料中的自旋极化注入和输运性质,进一步了解有机半导体材料的物理性质,对自旋电子学的发展具有重要的意义。本论文主要包括以下两个方面工作:1、选择磁性半导体作为中间层,研究了铁磁金属(FM)/磁性半导体(FS)//铁磁金属(FM)/异质结的自旋极化输运性质。研究表明:对比一般的铁磁金属/金属氧化物/铁磁金属三明治结构,由于考虑了磁性半导体层的自旋过滤效应,所以在FM/FS/FM隧道结中可以获得更大的TMR值。通过改变一些物理参数如磁性半导体层的厚度,Rashba自旋-轨道耦合强度,磁性分子场的大小,可以得到合理的隧穿系数和TMR值。我们的计算结果为设计自旋电子学器件提供了一定的参考依据2、基于Slonczewski的近自由电子模型,利用转移矩阵的方法研究了铁磁/层/机半导体/铁磁三层膜隧道结和铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结自旋极化电子隧穿的温度和偏压特性。计算了隧穿磁电阻( Tunneling MagneticResistance, TMR )随偏压和温度的变化关系,同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系。我们的计算结果较好地解释了有关的实验结果。