脉冲激光沉积后硒化法制备CIGS薄膜

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【摘要】

：

太阳电池作为发展最快的清洁能源,具有无噪声、无污染、不受地域限制、利用成本低等特点,近几年来薄膜电池得到了高速发展。以CuInGaSe2(简称CIGS)为吸收层的薄膜太阳电池是在玻璃或者其它廉价衬底上沉积6层以上化合物半导体和金属薄膜材料,薄膜总厚度约3-4μm。该电池成本低、性能稳定、抗辐射能力强,其光电转换效率高,被称为最有前途的廉价太阳电池之一。对CIGS吸收层薄膜的研究,本论文主要包括两方

【作者】

：

李丽丽

【机构】

：

内蒙古大学

【发表日期】

：

2011年01期

【关键词】

：

CIGS薄膜 PLD 硒化光学带隙

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