磁电复合薄膜能够实现电能与磁能的转换,是目前功能材料领域的研究热点。压电薄膜是磁电复合薄膜的重要组成部分,应用磁控溅射法制备的压电陶瓷薄膜与溅射靶材的质量关系密切。因此,研究压电性能可调控的压电陶瓷靶材,对压电薄膜以及磁电复合薄膜的研制具有非常重要的意义。本文以xBi(Mg1/2Ti1/2)O3-(1-x)PbTiO3(BMT-PT)体系和Pb(Zr0.54Ti0.46)O3(PZT)体系压电陶瓷为基础,研究了一系列压电系数在150到600pC/N之间的陶瓷靶材配方。首先,讨论了Sr,La离子对BMT-PT陶瓷的性能影响。研究表明,当BMT的含量x=0.68时,BMT-PT压电陶瓷处于准同型相界位置。Sr,La离子的少量取代对陶瓷的压电性能影响不大,但过量的Sr会降低压电陶瓷的压电性能。La离子的掺杂能够显著提高BMT-PT压电陶瓷的压电性能,当La2O3的掺杂量为0.02%wt时,压电陶瓷的压电系数取得了极大值。其次,研究了Sr离子掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响,随着Sr含量的增大,压电陶瓷的压电系数先增大后减小,当Sr的含量为7%mol时,压电陶瓷的压电系数达到极值。当在PZT中加入过量Pb时,压电陶瓷的压电性能得到了进一步提高。本文采用固相烧结法研制了PZT压电陶瓷靶材。实验表明,PZT压电陶瓷样品的径向烧成收缩率为14%,根据收缩率设计了靶材模具。为了提高靶材的致密性和均匀性,采用冷等静压法压制坯体。通过热重分析和烧结试验确定了制作靶材的烧结温度、成型压力等参数。最终获得了相对密度为94.6%的压电陶瓷靶材,靶材形成了纯净单一的钙钛矿相,晶粒大小均匀,晶界清晰,基本满足使用要求。