白光二极管(LED)作为一种高光效、长寿命光源,在固态照明、液晶显示等领域具有广泛的应用。在白光LED日益发展的同时,偏振白光光源作为普通白光的一种功能上的扩展,在CCD偏振成像、光学存储、光通信、光电探测、平板显示背光等方面具有特殊的应用。本文主要研究基于荧光陶瓷及纳米光栅的GaN基白光LED的偏振出光特性、结构设计及制作技术,主要工作包括:(1)提出了一种基于荧光陶瓷和纳米光栅集成的GaN基白光LED新型复合结构,能在450nm~650nm光谱范围内实现高偏振度白光出射。这种结构在荧光陶瓷表面引入一层低折射率氟化镁过渡层,在过渡层表面集成介质/金属复合纳米光栅结构。低折射率过渡层的引入可以有效的提高结构的透过率和偏振消光比。利用时域有限差分法进行了数值模拟,详细分析了该结构各参数对白光偏振性能的影响,获得了结构的优化设计参数。(2)进行了新型GaN基白光LED的制备和实验测量研究。利用纳米压印及反应离子束刻蚀工艺,实验制备了荧光陶瓷基底上周期150nm,有效面积达20mm×20mm的介质/金属复合纳米光栅结构。将此荧光陶瓷复合纳米光栅结构与蓝光GaN LED集成实现白光LED器件。搭建了偏振特性检测系统,对白光LED进行了偏振出光测量。测试结果表明,实验制备的基于荧光陶瓷及纳米光栅结构的偏振白光LED在450nm~650nm可见光范围内的消光比大于20dB,TM波透过率高于60%。同时,还对偏振出光的角度适应性进行了测量。测量结果表明,消光比在±60°的范围内均大于20dB,具有很好的角度适应性。