随着电子科技的发展,高介电常数复合薄膜的需求量越来越大,对其性能的要求也越来越高,通过复合的方法来将聚合物的柔韧性和陶瓷的高介电性结合起来,已经受到越来越多的关注。本实验采用3,3’ 4,4’-联苯四甲酸二酐(BPDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为原料,N,N,-二甲基乙酰胺(DMAc)为溶剂,在聚酰亚胺(PI)中添加一定量的钛酸铜钙(CCTO)陶瓷粉末,采用溶剂-原位聚合法和压制蒸镀法制备一系列不同钛酸铜钙含量的CCTO/PI高介电常数复合薄膜。采用傅立叶红外分析(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、LCR电桥、示差扫描量热仪(DSC)、热失重分析(TGA)等对薄膜进行了分析与表征。研究结果表明溶剂法制得的钛酸铜钙粒子在聚酰亚胺基体中得到了均匀分散,当CCTO加入量为90%时,复合材料的介电常数在100Hz时达到101.5,击穿强度为10.3kv/mm。采用压制蒸镀法制得的CCTO含量90%的CCTO/PI复合薄膜介电常数为112.3,约为纯PI的33倍,另外将击穿强度提高至43.5kv/mm,此外,复合材料有着良好的热稳定性,初始分解温度在579℃以上,此复合材料有望应用于电子领域。