伴随着社会的发展和化石能源储量的减少，太阳能的利用成为大家关注的研究方向之一。其中HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)电池的研究成为一个非常热门的方向。它不仅具有晶体硅太阳电池效率高的特点，而且避免了非晶硅薄膜太阳电池的光致衰退效应。　　本文主要是利用RF-PECVD系统进行HIT太阳电池的研究。采取从易到难的方式，分步进行研究。　　窗口层作为电池结构最重要的一环，是本文研究的重点。首先通过优化工艺条件如硅烷浓度、气体配比、压强、功率、沉积时间等讨论 N型非晶硅薄膜性能，并在材料研究的基础上获得6.27％的太阳电池光电转换效率。通过与ITO的接触特性的研究，采用N型微晶硅薄膜对窗口层进行处理，使之与ITO形成良好欧姆接触，降低接触电阻，使太阳电池效率达到7.95%，效率较未处理时提升26.79%。　　在背电场的研究中，首先利用AFORS-HET软件对HIT太阳电池背电场进行理论分析。通过模拟计算发现帯隙为1.6 eV，掺杂浓度量级大于1×1018时，太阳电池效率最优。在模拟结果的基础上，通过制备非晶硅薄膜和符合要求的微晶硅薄膜，分别作为背电场应用于电池中，通过对比研究发现：采取符合要求的微晶硅薄膜作为背场，可以使电池达到9.73%的效率；如果非晶硅薄膜的掺杂浓度低，将对太阳电池产生负面作用。　　在钝化层的研究中，要力求避免本征非晶硅薄膜外延生长。通过优化工艺，包括沉积温度、硅烷浓度、功率密度、沉积时间及退火处理，最终使单晶硅少子寿命达到598.7μs。经模拟计算表明：优化后的钝化层应用于HIT太阳电池中，使电池效率最终达到14.69%，与未加钝化层的电池相比，效率提升50.9%。