缺陷催化剂的合成及其在小分子还原反应中的性能研究

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开发活性高、稳定性好和成本低的电催化剂是实现其广泛应用的关键。最近,通过改性电催化剂的结构从而调控其催化活性的研究引起了人们的广泛关注。在众多调控策略中,缺陷工程表现出巨大的潜力。缺陷可以破坏材料的周期性晶体结构,从而影响其表面电子分布,进而起到调控催化活性的作用。不同的缺陷类型、数量和位置,赋予了纳米材料在电学、光学和化学等方面各种独特的性质。本论文中,我们分别合成了具有光控氧空位(Oxygen vacancies,OVs)的Fe掺杂的Bi OCl纳米片(Nanosheets,NSs)、缺陷浓度可调的Bi2Se3 NSs、具有高指数晶面的Rh2Sb纳米棒(Nanorods,NRs)和具有Te缺陷的Bi-Te纳米盘(Nanoplates,NPs),并仔细分析了上述催化剂的构效关系。主要内容概括如下:第一章:简要综述了缺陷催化剂在小分子还原反应中的研究背景,并阐明本文的选题依据、研究内容和意义。第二章:发现引入OVs和掺杂Fe到Bi OCl NSs中,可以显著增强Bi OCl NSs对光固氮反应的活性。Fe的掺杂量对Bi OCl NSs的光固氮反应的催化活性表现出火山型趋势。具有光调控的表面OVs以及优化的电子结构和对N2的强吸附能力的Bi OCl NSs-Fe-5%表现出最优异的光固氮性能。第三章:首次成功制备了具有高指数晶面的Rh2Sb NRs。表面的高指数晶面增强了Rh2Sb NRs对N2的吸附和活化,使其在电催化氮还原反应(Nitrogen reduction reaction,N2RR)中表现出优异的NH3产率,优于表面光滑的Rh2Sb NRs以及Rh纳米颗粒催化剂。第四章:通过调控Bi2Se3 NSs的厚度,合成了三种缺陷含量不同的Bi2Se3 NSs。随着Bi2Se3 NSs中缺陷含量的增加,其在催化N2RR中,NH3的法拉第效率及产率也随之增加。具有丰富表面缺陷、快速电子转移以及高效吸收和活化N2的薄层Bi2Se3NSs,表现出最优异的N2RR性能。第五章:通过电化学活化,将Bi2Te3 NPs上的Te部分溶解,使Bi2Te3 NPs中产生了大量的Te空位。理论计算证实,Te空位通过能量上的最优途径将Bi2Te3的表面朝着电活性和还原特征调节,成为小分子还原的活性位点。进一步的实验表明,活化后具有Te空位的Bi2Te3 NPs可以用作还原小分子的通用电催化剂。在电催化氧还原、二氧化碳还原以及N2RR中均能表现出较好的催化选择性、活性和稳定性。
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