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随着信息技术的快速发展,人们对存储器的研究越来越关注,并对其性能提出了较高的发展要求,如可缩性好、存储密度高、与互补型的金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等。当前,市场上使用最为广泛的存储器是Flash存储器。根据摩尔定律的预测,集成电路的尺寸将越来越小,同时,器件的性能将越来越好。然而,基于浮栅结构的Flash存储器,其在器件尺寸减小的同时,电流泄漏将变得严重,直接影响了数据的保持性能。因此,急需研发一种新型的非挥发性存储器来替代Flash存储器。近年来,阻变存储器(RRAM)逐渐成为人们关注的