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考虑到由量子点尺寸分布（QDSD）所引起的载流子能量加宽及由载流子-声子散射引起的均匀加宽，给出了量子点光放大器（QD-SOA）光与QDSD温度相关的一般增益表达式。进而，利用这一表达式并结合与之相关的一组载流子速率方程，用第四阶龙格－库塔方法对InAs/GaAs QD-SOA与QDSD及温度相关的放大自发辐射（ASE）、饱和增益及载流子复时间进行了数值分析。其结果证明如下： 1、基态ASE、激发态ASE与温度紧密相关。对一给定量子点尺寸分布，温度越高，ASE越大。但当温度大于400K时，激发态这种变化消失。与之相反，基态ASE、激发态ASE与量子点QDSD有关。对一给定温度，QDSD越大，ASE越小。 2、在频域，ASE谱表现为双峰，分别对应于基态、激发态增益峰，并且激发态增益峰高于基态。在低温时，ASE表现高斯线形。而当温度达到400K时，增益峰表现洛仑兹线形。一般表现为一综合线形。在室温，其总频谱宽度超过120nm，远超过体相SOA、量子阱频谱宽度，极有利于全光网络波分复用系统中的光信号放大。 3、当泵浦光与基态共振时，基态由于受激辐射载流子大量消耗，其增益大幅度低，与此同时，由于纵波光学声子辅助激发态载流子部分弛豫到基态，激发态增益下降。在室温，量子点不均匀度越大，对激发态影响越小。基态饱和增益也与温度紧密相关，温度越低，增益越容易饱和。 4、当泵浦光与激发态共振时，不仅激发态增益下降显著，而且基态增益有剧烈变化，并从正增益变成负增益，这一特性几乎与量子点不均匀度无关。由此基于XGM可实现大失谐量波长转换，并且，基于这一特性能消除在XGM所出的反码现象。激发态饱和增益与QDSD、温度密切相关。对一给定QDSD,温度越低，增益随泵浦功率的增大减小得越快。在室温条件下，QDSD越小越容易达到饱和。 5、基于泵浦-探测技术对InAs/GaAs QD-SOA基态、激发态增益在温度300K对QDSD进行数值仿真表明：其载流子恢复时间在0.15～0.175ps范围,在相同条件下，基态与激发态间无明显变化。并且，在QDSD2％～5%范围，其载流子恢复时间变化不大，比体相SOA、量子阱SOA具有更快的非线性时间响应。