随着日亚公司在蓝光LED技术上的突破，GaN基Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体发光器件受到了广泛的关注。特别是GaN基白光LED的实现，其在新材料、新工艺上的许多优点，使其作为第四代照明光源，在庞大的照明市场和节能方面有广阔的发展前景。目前实现白光LED的途径有3种:一种是用LED芯片所发光激发荧光粉，芯片和荧光粉发出的光混合成白光;另一种是利用红光、绿光、蓝光LED制备LED白光组件;还有一种是利用多个活性层使LED直接发白光。虽然荧光粉型LED在发光效率方面得到了提升，但其在显色指数方面存在较大缺陷，并且荧光粉的无辐射复合使LED效率下降，转化效率低，并且荧光粉的老化降低了LED器件的寿命，这些缺陷阻碍了荧光粉型LED在普通照明领域的应用和推广。多个活性层LED白光器件还处于研究阶段，其存在各个波长强度分布不均的情况。基于上述原因，本文通过APSYS软件模拟计算一种量子点参与的单芯片多波长LED。　　 量子点是准零维（quasi-zero-dimensional）的纳米材料，其内部电子在各方向上的运动受到局限，使其对载流子有较强的束缚能力，可抑制载流子向非辐射中心的迁移，增强带间跃迁，即量子限域效应（quantum confinement effect）显著。量子点中的载流子在三个维度方向上的能量都是量子化的，其态密度分布为一系列的分立函数，类似于原子光谱性质，因而人们往往也把量子点称之为“人工原子”。量子点的发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，而且量子点具有很好的光稳定性、宽的激发光谱和窄的发射谱、荧光寿命长等优点。本文主要研究结果如下:　　 1.应用APYSY软件模拟计算GaN基量子点的发光性质，将不同尺寸的量子点植入多量子阱GaN基LED中，通过模拟计算研究其发光波长，计算了半径为1.8nm、2.6nm、4nm、8nm、13nm的量子点的发光波长，其对应的发光波长为539nm、549nm、562nm、578nm、623nm，可以看出量子点的发光波长可覆盖整个可见光区，而且随着量子点尺寸的增加波长出现红移。　　 2.结合第一部分不同尺寸量子点的发光波长，分别将半径为1.8nm的绿光量子点和半径为13nm红光量子点植入到量子阱中，并结合无量子点植入的蓝光量子阱，实现单芯片的RBG型白光LED。模拟计算了其载流子浓度分布情况、各个波长的辐射强度，通过分析表明靠近N层空穴浓度下降，辐射强度降低。为了实现各波长均匀发光，本文尝试通过调节量子点的分布密度，达到调节各波长发光强度的目的。