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铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CuIn1-xGaxSe2solar cells,简称CIGS)是上个世纪发展起来的的一种清洁的新型薄膜太阳能电池。1974年Bell实验室采用提拉法制备出了第一块CIS太阳能电池(CIGS是在CIS基础上演变而来的)。从此CIGS太阳能电池便成为各界学者的研究热点,迅速发展起来。而ZnO和CIGS直接接触的CIGS太阳能电池的转化率不高,直到1985年,R.R.Potter等人研制出了目前这种CIGS太阳能电池的基本结构,在ZnO和CIGS之间添加一层CdS薄膜作为缓冲层,这样极大地提高了太阳能的转化效率。因此,怎样提高缓冲层的性能,引起了广大学者的关注。目前,CdS薄膜作为缓冲层的CIGS太阳能电池的最高转换率已达到20.3%,由德国太阳能和氢能研究中心创造的。本实验采用化学水浴法和磁控溅射法制备CdS薄膜。其中化学水浴法,以乙酸铵、乙酸镉、氨水和硫脲为主要原料,在钠钙玻璃以旋转的方式沉积CdS薄膜,分析了沉积时间、沉积温度、旋转速度和Cd2+浓度等工艺条件对CdS薄膜的物相、表面形貌、电阻、透过率及禁带宽度等方面的影响；而磁控溅射法以CdS为靶材,在钠钙玻璃上沉积CdS薄膜,分析了溅射时间和工作气压对CdS薄膜的物相结构、晶胞参数及透过率的影响以确定最佳工艺参数。实验结果表明,化学水浴法制备的CdS薄膜,沉积时间、沉积温度、旋转速度和Cd2+浓度的变化影响薄膜的结晶程度,透过率,表面电阻和光学带隙等性能。采用化学水浴法制备CdS薄膜在沉积时间为30min,沉积温度为80℃,旋转速度为2r/s,Cd2+浓度为0.001mol/L时,CdS薄膜的性能最好。磁控溅射法制备的CdS薄膜,溅射时间和工作气压的变化影响薄膜的结晶程度和光学性能。采用磁控溅射法制备的CdS薄膜,在溅射时间为20min,工作气压为0.5MPa时,CdS薄膜的性能最好。化学水浴法制备的CdS薄膜不仅透过率普遍高于磁控溅射法制备的CdS薄膜,而且在波长500nm以下还有较好的透过率；磁控溅射法制备的CdS薄膜的结晶程度优于化学水浴法制备的CdS薄膜。