随着互补金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小,Si基MOS器件的发展达到了其物理极限,新的沟道材料应变SiGe由于其具有空穴迁移率高,温度范围宽,热传导性良好和漏电流低等特点,成为了制造超小尺寸、高集成度、高频、低噪声集成电路的理想半导体材料。最近几年,高k栅介质Ge和SiGe MOSFETs的研究是微电子学领域的热点,主要集中于高k栅介质的制备工艺及其电特性研究。本文研究了SiGe MOSFET的迁移率。在器件物理的基础上,考虑了应变对SiGe合金能带结构参数的影响,建立了一个半经验的Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和Ge组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。本文介绍了高k栅介质Ge MOS电容样品的制备,并进行了测试。比较了湿N2退火和干N2退火对HfTiON栅介质Ge MOS电容界面特性的影响,分析了Ti浓度对HfTiO栅介质Ge MOS电容样品电特性的影响。比较了HfO2、HfTiON和HfTiO栅介质Ge MOS电容样品电特性的差异,以及各自的优缺点和应用前景。此外,本文还研究了高频C-V测试仪的数据采集及处理,完成了数据采集界面程序的编写。利用Protel DXP完成了测试仪印制电路板的设计。