【摘 要】
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研制和生产出作为集成电路基本元件的小尺寸、高速、低功耗晶体管一直是各科技大国和公司追求的目标.偶载场效应晶体管(DCFET)是一种新型器件.能够把器件二维寄生效应部分变
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研制和生产出作为集成电路基本元件的小尺寸、高速、低功耗晶体管一直是各科技大国和公司追求的目标.偶载场效应晶体管(DCFET)是一种新型器件.能够把器件二维寄生效应部分变为主要的有效部分,大大缩短有效沟道长度,从而使得截止频率大幅度地提高,功耗大为减小,且具有较高的电流驱动能力,生产成本低的特点.所以对DCFET的工作原理和实验工艺的研究具有重要意义.该文研究了DCFET的工作原理和特性,采用分析和数值模拟相结合的方法,解释了偶载场效应管内部电场的形成和载流子的分布情况.成功地采用离子注入掺杂制备出了有效沟道长度为80nm的PNP型DCFET,并测量了它的输入输出特性.也对它的相关应用电路进行了测量.从理论和实验两方面证实了DCFET在大注入,低工作电压条件下,产生沟道区反型层,沟道层载流子以漂移电流为主,具有场效应的特点,且能够应用到集成电路中.同时,提出了改进后4层结构集成晶体管的EM模型,并用它分析了DCFET集成电路中的寄生晶体管效应.提出了优化工艺和设计方案来减小寄生晶体管效应的影响.
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