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光催化技术是一种高效、环保、节能的环境治理技术,具有广阔的应用前景和发展空间,因而开发出具有高催化活性的光催化剂具有十分重要的意义。在众多种催化剂中,钨酸亚锡（SnWO4）凭借其独特的能带结构和丰富的资源而受到大家的关注。α-SnWO4与其他催化剂相比具有禁带宽度窄（约1.7 eV～1.8eV）,可响应可见光的特点。但因其光生载流子容易复合、迁移速率缓慢等问题,导致其催化活性大大降低。本论文通过对α-SnWO4的合成条件进行优化,采用表面活性剂辅助合成和半导体复合,以此来提高α-SnWO4的催化活性。本文以SnCl2·2H2O和Na2WO4·2H2O为原料通过水热合成法制备得到α-SnWO4催化剂。通过单因素实验探索出催化剂制备过程中的pH值、水热温度、水热时间和反应物摩尔配比等最佳条件,同时对模拟污染物亚甲基蓝溶液（MB）进行光催化性能研究。结果表明在反应溶液pH值为7,水热温度为180℃,水热时间为36h以及SnCl2和Na2WO4的摩尔配比为1: 1时催化剂活性最高,在5 h内对亚甲基蓝溶液的降解率达55.98%。在上述条件下,采用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）对α-SnWO4进行表面活性剂修饰,同时对pH值、水热温度、水热时间和CTAB添加量做正交实验,其结果显示α-SnWO4的最佳制备条件为水热合成温度为180℃,溶液的pH值为7,水热时间为32 h,Sn和CTAB的摩尔比为1: 0.06,该催化剂样品在5 h内对亚甲基蓝溶液的降解率达79.65%。对上述催化剂进行XRD、SEM和UV-vis分析,发现制备的α-SnWO4催化剂的结构为片状结构,其表面较为光滑,禁带宽度较小,约为1.82 eV。为提高催化剂的活性,采用两步水热法制备出α-SnWO4/Bi2WO6半导体复合材料,并对材料的结构和性能进行研究。实验结果表明,不同复合比下的催化剂具有不同的催化活性,在α-SnWO4与Bi2WO6的复合比为1:0.4时,催化剂的催化活性最高,在5 h内对亚甲基蓝溶液的降解率达93.59%。对上述复合材料进行XRD、SEM和UV-vis分析,发现α-SnWO4/Bi2WO6的形貌仍然是由片状结构堆积而成,其禁带宽度约为2.14eV。根据其禁带宽度的大小进一步计算出半导体的价带和导带,分析催化剂内部电子空穴的迁移情况,得出使催化剂活性提高的反应机理。对实验结果进行分析,发现添加CTAB的催化剂与未添加CTAB的催化剂相比,5 h内对亚甲基蓝的降解率从55.98%上升到79.65%。将催化剂进一步与Bi2WO6进行复合,其降解率达93.59%。由此可证,CTAB的添加和半导体Bi2WO6的复合均能提高α-SnWO4的催化活性。