碳化硅(SiC)是继Ge、Si、GaAs之后的第三代半导体材料的典型代表。SiC半导体材料因为具有带隙宽、热导率高、临界击穿电场高以及饱和载流子漂移速度快等特点，因此在高温、高频、抗辐射和大功率等领域具有广阔前景。电子束物理气相沉积(EB-PVD)是以电子束作为热源的一种真空蒸发镀膜方法，即在高真空条件下，利用高能量密度的电子束轰击靶材表面，使之熔化、蒸发并在基片上沉积形成薄膜。与其他薄膜制备技术相比，EB-PVD技术具有蒸发速率快和薄膜质量好等优势。本文首先介绍了SiC薄膜的结构、理化性质和光电性质，并对SiC薄膜的研究历史及其应用现状进行了阐述，介绍了本论文的研究背景、研究内容和研究意义；然后，论文详细介绍了物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)制备薄膜的方法及新相形核、连续薄膜的形成、薄膜的生长等三个薄膜的生长阶段；论文重点介绍了采用EB-PVD方法制备SiC薄膜并对工艺参数进行了优化的过程。论文通过实验和分析得出使用EB-PVD技术，经过40min和60min的沉积时间，可在硅<100>基片上制备出厚度分别为1.5μm和2.0μm的SiC薄膜；在相同膜厚情况下，退火温度越高，SiC薄膜结晶质量越好，薄膜表面平均粗糙度越低；在相同退火条件下，薄膜厚度越厚，薄膜表面平均粗糙度越低；在SiC薄膜上施加相同的电压时，紫外光条件下所测的电流最大，白光次之，黑室电流最小；在相同条件下，薄膜越厚，激发电流越大。