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随着无线通信领域的蓬勃发展和广泛应用,对无线接收机提出了越来越高的要求。而基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的射频集成电路有着广泛的市场和发展前景。无线终端系统的小型化、低功耗、低成本和高性能已成为发展趋势,CMOS工艺以它低成本、低功耗和高集成度,成为世界产业界的主流工艺。对于多级级联系统,第一级的噪声性能对整个系统的影响最大,而低噪声放大器(LNA)作为无线通信系统射频接收机前端的关键模块,它的性能对射频接收系统的性能起着至关重要的作用。所以,本论文基于无线通信系统的要求,完成了一个可以应用在1.9GHz DECT无线接入系统中的低压低功耗低噪声放大器的设计。本论文首先介绍了DECT无线接入系统理论和低噪声放大器的两个重要性能指标一噪声与线性度特性,重点分析了射频前端超外差接收机系统结构、低噪声放大器对DECT无线接收机系统性能指标的影响以及二端口网络噪声和级联系统中噪声与线性度的特性。然后提出了低噪声放大器的设计指标,对比分析了传统拓扑结构的低噪声放大器性能,并在低压低功耗经典折叠共源共栅结构的低噪声放大器基础上提出了一种采用非线性补偿技术的折叠共源共栅低噪声放大器。最后围绕着低功耗、噪声和线性度特性进行了分析与优化。在低功耗的约束下,在主要影响低噪声放大器噪声系数的第一级,即输入级通过确定晶体管最佳跨导以实现噪声系数的优化；在主要影响低噪声放大器线性度特性的后级,即输出级采用PMOS晶体管非线性补偿技术以实现线性度的优化。最终很好的解决了噪声系数、功耗以及线性度三者之间相互制约的矛盾。本文采用TSMC 0.18μm CMOS工艺模型,通过ADS2008设计与仿真,并与经典折叠共源共栅结构低噪声放大器的仿真结果进行对比分析,实验结果表明：按照本文所设计的方法,该低噪声放大器具有低功耗、低的噪声系数和高线性度,其噪声和线性度的优化结果与理论十分吻合,该LNA在0.9V的工作电压下,满足输入,输出阻抗匹配的同时,其增益为17.31dB,噪声系数1.19dB,输入三阶交调点IIP3为9.35dBm,功耗仅6.8mW,且在中心频率1.9GHz处的工作频带内具有很好的稳定性。因此,该低噪声放大器可以应用于中心频率在1.9GHz的DECT无线接入系统中。