概述了现代微电子器件发展的现状，电路集成度的不断提高，加工工艺特征尺寸的不断减小，器件尺寸进入了亚微米、深亚微米阶段，出现了许多不良效应。详细分析了一种新型半导体器件——双极压控场效应晶体管(BJMOSFET)的结构特点、工作原理，这种器件拥有BJT和MOS两者的优点。并对其直流特性、频率特性、开关特性和温度特性进行了详细的理论分析和计算机模拟，得出了该器件优于现有器件：饱和漏电流较大，频带更宽，开关特性也有一定改善，温度稳定性更好。更适于SOC的生产开发。从结构、工艺、功耗等方面提出了器件的设计方法，特别是针对目前集成电路低压、低功耗发展的要求，从器件本身的阈值电压、制备器件的材料和器件的衬底方面进行了详细的分析，得出了一些结论，为器件的实际生产提供了理论指导。介绍了SOI材料的几种制备技术及SOI材料的主要应用领域。提出了SOI BJMOSFET的结构。通过与体硅BJMOSFET比较，讨论和分析了SOI BJMOSFET的优点：无闩锁效应、抗软失效能力强、寄生电容大大降低、热载流子效应减弱、减弱了短沟道效应、工艺简单等。联系SOC低压、低功耗发展的要求，得出了SOI BJMOSFET在器件发展中的重要地位，对器件的研究和发展具有重要的指导意义。