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热电材料可以在固态下直接实现热能和电能的相互转化,对于实现废热回收、提高能源利用率具有重要意义。基于热电效应的器件具有无需气液循环系统、无噪音,可靠性高等多重优点,但由于其效率较低目前大规模应用受到限制。尽管目前研究者在二元热电材料中取得了巨大的进步,热电优值的记录一再提升。三元合金体系由于其元素选择的多样性,近年来也是热电领域研究的重点。其中,基于闪锌矿结构的三元铜基硫属化合物I3-V-VI4和I2-IV-VI3种类繁多,由于具有环境友好、元素地壳含量丰富、电学性能容易调控等优点备受科研工作者的广泛关注。但这些材料由于原子之间键很强,本征的晶格热导率较高,单一采用传统的固溶方法晶格热导率下降有限。借助微米尺度的晶界和纳米尺度的析出物对声子的散射,有望实现全尺度热传输抑制,进一步降低晶格热导率。本文采用湿化学方法,成功制备了具有闪锌矿结构的Cu3SbSe4纳米晶和Cu2SnTe3纳米晶,并针对这两个材料的电声输运特性和热电性能的优化进行了相关研究和初步探索,为两体系的后续研究奠定了重要基础。本文的主要研究内容如下:（1）采用微波辅助溶剂热法快速宏量制备了Cu3Sb1-xSnxSe4纳米晶,并结合放电等离子烧结工艺对其块体材料的热电性能进行了研究。Cu3SbSe4材料的本征载流子浓度较低,通过Sn元素掺杂,有效提升了材料的载流子浓度,从而大幅提高了材料的电导率。尽管材料的Seebeck系数减小,最终的功率因子也得到了很大的提升。另一方面,Sn元素的掺杂没有使材料的热导率明显升高。因此,主要归功于功率因子的显著提升,使得Sn元素掺杂的样品的zT值得到了极大的提高,最终Cu3Sb0.97Sn0.03Se4样品在温度为623 K时实现了最大zT值,达到0.8,比未掺杂样品提升了4倍多。（2）采用微波辅助溶剂热法快速宏量制备了Cu3-yAgySb1-xSnxSe4纳米晶,并对材料的微观结构和热电性能的关联关系进行了研究。通过XRD和TEM测试表明,合成的样品中有Cu2-xSe纳米析出相,会对样品的热电性能产生影响。通过Sn元素的掺杂优化材料电学性能的基础上,再在Cu原子位置固溶Ag原子,形成Ag、Sn元素共掺杂的Cu3-yAgySb1-xSnxSe4纳米晶合金,强烈散射声子从而使材料的晶格热导降低至玻璃极限。材料晶格热导率的降低主要归因于两点:一是固溶合金引起的点缺陷散射;其次是纳米析出相Cu2-xSe作为声子的附加散射中心增强对声子的散射,从而大幅降低了材料的晶格热导率。最终,名义成分为Cu2.8Ag0.2Sb0.95Sn0.05Se4的样品在温度为623 K时实现了最低晶格热导率0.27Wm-1K-1,并达到了最大zT值为1.18。该结果是到目前为止在Cu3SbSe4基块体热电材料中在同一温区（623 K左右）获得的zT最大记录值。（3）Cu2SnTe3作为I2-IV-VI3的重要成员,传统的固相烧结方法无法合成,热电性能未明。我们采用胶体合成法大剂量合成了Cu2SnTe3纳米晶,并结合放电等离子体烧结工艺合成块体样品,并对其热电性能进行了初步探索。通过SEM测试发现,样品的晶粒尺寸从几十纳米到一百纳米之间。通过测试热电性能发现,由于Cu2SnTe3样品的本征载流子浓度较高,因此电导率过大,而Seebeck系数很小,最终导致了样品很低的zT值。然而,Cu2SnTe3纳米材料的胶体合成法的大剂量成功合成,填补了I2-IV-VI3体系部分合金无法合成的空白,对该体系其他Te化物纳米材料的合成具有重要借鉴意义,对其块体材料热电性能的初步探索也为该材料热电性能的进一步优化设计提供了指导方向。