随着集成电路和微电子技术的迅速发展,高性能处理器对嵌入式存储系统提出了更高的要求,高的记忆密度、低功耗、高速度、低成本是今后存储器的发展方向,如何提高存储器的集成度,降低刷新功耗仍然是目前研究的热点。本论文针对上述问题,提出了一种真正意义上的基于温度的存储器自适应刷新方案。论文针对传统存储器刷新电路的不足,指出设计具有温度白适应刷新电路的必要性。以2T核心存储单元为对象,针对温度升高,漏电流增大,信息保持时间缩短的特点,结合现有基于温度传感器刷新的特点,充分考虑面积、功耗、工艺等性能之间的各种约束,紧紧围绕“温度-电压-刷新频率”之间的关系,提出了在存储阵列中加入与温度相关的PTAT冗余单元作为温度传感监测单元,研究了具有线性度好、占用面积小、与MOS工艺兼容、实时性强的温度监测传感电路。本着振荡源的频率要具有随温度变化的要求,详细分析了改变环形压控振荡器频率的方法,选择了电流饥饿型环形压控振荡器电路,以温度监测传感电路的输出电压作为控制电压,设计了基于温度的DRAM刷新时钟产生电路。本文是基于AMI0.6微米标准CMOS工艺设计的,仿真测试结果表明,设计的振荡电路符合DRAM刷新要求。