降低体晶体硅成本,是日益竞争激烈光伏产业追求的目标之一,降低硅原料成本,一般需要向更薄的硅片发展,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。对于薄片化的硅太阳能电池,背面钝化显得越来越重要了。本文通过对少数载流子有效寿命的检测分析和丝网印刷形成背局域接触的方法对背面钝化技术作了系统的实验研究。首先,利用PC1D模拟背面复合速度对太阳能电池效率的影响,采用CTO、RTO、SIN及其叠加层这些不同介质膜作为背表面钝化膜,通过QSSPCD检测其钝化效果。实验发现氮化硅膜的厚度从26nm到75nm的时候,钝化效果基本相同,而在17nm左右的时候,钝化效果有所下降,1.9到2.3折射率的氮化硅薄膜对背面钝化的影响不是很大,2.3折射率氮化硅薄膜的退火特性几乎和2.0折射率的退火特性相同,对于不同的腐蚀界面,双面氮化硅的钝化效果基本一致,而对于叠加层来说,经过RTP处理之后,diffused硅片的少子寿命有少许下降,CTO的氧化时间在80分钟左右的时候,少子寿命有逐渐下降的趋势,而在50-80分钟的时候,少子寿命上升。其次,采用三种不同的方法去除背P-N结,实验发现:三种去背结的效果几乎一致。采用丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250um,间距2mm,经过RTP处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法,来形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。