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有源矩阵驱动显示技术已经成为当前平板显示技术的主流。非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)作为一种成熟的电子器件,因其大面积制造成本低廉、工艺重复性良好、开关速度适当,非常适合于有源矩阵显示器件。此外,a-Si:H TFT较低的制备温度使其具有可制作在柔性基底的优点。因此,采用具有液晶显示产业化基础的a-Si:H TFT来驱动OLED无疑具有重大的意义。本文以研制性能优良AM-OLED用a-Si:H TFT为目的,探索了a-Si:H TFT的制备工艺,并研究了a-Si:H TFT对AM-OLED稳定性的影响。(1)a-Si:H TFT组成膜的制备。采用PECVD方法,通过改变工艺参数,分别在不同衬底上沉积一系列a-SiNx:H、a-Si:H及n~+Si:H薄膜样品。使用椭圆偏振仪、超高电阻微电流计等测试仪器对样品薄膜进行测试,摸索出沉积各层薄膜的较佳的工艺参数。(2)a-Si:H TFT的结构设计。结合OLED的需求及a-SiNx:H、a-Si:H及n~+Si:H薄膜的光电特性,设计TFT结构为背沟道刻蚀型,结构参数如下:a-SiNx:H厚度为300nm、a-Si:H的厚度为200nm、n~+Si:H的厚度为50nm,栅极与源漏极采用的低电阻率Al电极厚度为200nm。此外,根据TFT结构设计和整体布局,论文设计了三块掩膜板,以获得所需的a-Si:H TFT结构阵列。(3)a-Si:H TFT的制备。采用传统的光刻和刻蚀工艺,经三次套刻获得整体a-Si:H TFT阵列,其中,SiNx、a-Si:H、n~+a-Si膜的干法刻蚀选用SF6气体等离子刻蚀,Al膜的湿法刻蚀选用盐酸、磷酸和水的配比刻蚀液。(4)a-Si:H TFT性能测试。通过测试TFT漏极电流与栅极电压,获得所制备a-Si:H TFT的转移曲线;测量了a-Si:H TFT的开关比,并对影响a-Si:H TFT性能的主要因素进行了分析。(5)研究a-Si:H TFT特性对AM-OLED稳定性的影响。主要分析了电流控制电流镜像像素电路的稳定性,并提出改进方案以补偿a-Si:H TFT阈值漂移特性对驱动电流稳定性的影响。