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目的:利用锥形束CT(CBCT)测量上颌双侧后牙区相邻两牙牙根之间的近远中距离，以及上颌窦最低点与水平面的垂直距离，结合正畸石膏模型中的上颌双侧后牙牙冠高度的测量值以及口内上颌双侧后牙相应附着龈宽度的测量值进行综合分析，最终确定上颌后牙区正畸微种植体支抗植入的安全区，以期为正畸医师的临床操作提供参考。 方法:选择2012年1月至2012年12月期间于沈阳军区总医院口腔门诊正畸诊室就诊符合研究条件的正畸前患者病例资料21例，其中男性患者病历资料8例，女性患者病例资料13例，年龄范围为15-30岁，平均年龄为(19.5±4.6)岁。使用德国卡瓦公司生产的由扫描仪和计算机工作站组成KaVo3D exam Vision成像系统来获取患者头颈部的锥束容积断层图像并进行数据重建，重建结果以DICOM3.0的格式输出并进行保存。口腔颌面部锥形束CT重建后的数据使用InvivoDental5.0三维头影测量分析软件以三维影像的形式呈现，在Invivo Dental5.0软件的Scetion窗口中确定测量的水平面、矢状面以及冠状面，然后使用软件自带的测量功能分别测量上颌左右两侧后牙区相邻两牙牙根在距水平面6、8、10、12、14、16mm处的近远距离，以及上颌窦最低点与水平面的垂直距离。同时，在患者口外使用游标卡尺测量患者正畸前上颌牙列石膏模型中的上颌后牙牙冠高度;在患者口内使用牙周探针以牙体长轴为标准，分别测量游离龈的宽度以及龈缘至膜龈联合的宽度，并最终得出患者附着龈的宽度。综合分析测量所得的数据及上述各解剖结构之间的关系，最终得出上颌后牙区正畸微种植体支抗植入的安全区。 结果:1.上颌后牙区相邻两牙牙根近远中距离的测量结果显示上颌第二前磨牙和第一磨牙近中颊根之间的近远中距离最大，上颌第一前磨牙和上颌第二前磨牙牙根之间的近远中距离次之，而上颌第一磨牙远中颊根与上颌第二磨牙近中颊根之间的近远中距离变异较大。2.上颌窦底与水平面的距离从前磨牙至磨牙逐渐降低，在上颌第二磨牙区上颌窦底的位置与水平面距离最低。3.上颌后牙牙冠高度测量结果显示由上颌第一前磨牙至上颌第二磨牙牙冠高度依次减小，上颌第一前磨牙的牙冠高度最大。4.最终得出的上颌后牙区附着龈宽度结果显示由附着龈宽度由上颌第一前磨牙至上颌第二磨牙依次增大，上颌第二磨牙区的附着龈宽度最大。 结论:上颌后牙区正畸微种植体支抗植入的安全区位于上颌第二前磨牙与上颌第一磨牙之间，距上颌第二前磨牙颊尖与上颌第一磨牙近中颊尖连线所确定水平面的垂直高度为10-11mm，过上颌第二前磨牙与上颌第一磨牙邻接点的切线偏远中并且正畸微种植体支抗植入时与水平面所成的角度不大于59°。