【摘 要】
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该文工作.1、该文利用对靶直流磁控溅射系统,提出了一种同时淀积双面外延YBCO超导薄膜的方法,并对其中的关键部件和工艺参数进行了实验研究,取得了阶段性的成果.2、该文与前
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该文工作.1、该文利用对靶直流磁控溅射系统,提出了一种同时淀积双面外延YBCO超导薄膜的方法,并对其中的关键部件和工艺参数进行了实验研究,取得了阶段性的成果.2、该文与前人的研究不同,采用了CF<,4>气体,对YBCO超导薄膜在真空室里进行射频等离子体氟化,从而实现YBCO超导薄膜的改性.XPS的结果表明,氟化使得YBCO薄膜表面发生了化学作用.通过深度俄歇轮廓分析得到了氟化深度与氟化条件的关系,并可以根据需要控制氟化的深度.对氟化后薄膜输运性质进行了研究,结果表明充分的氟化可以使YBCO超导电性完全消失而呈现半导体性,并且在氧气中退火后性质没有改变,表明了氟化后形成的退化层和势垒层是稳定的.3、在Ag/glass衬底上采用真空热蒸发的方法制备了C<,60>薄膜,通过调节淀积速率和衬底温度成功地获得了单取向的C<,60>薄膜,为电场效应器件的制备提供了良好的基础.
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